液晶与显示2016，Vol.31Issue(3)：276-282,7.DOI:10.3788/YJYXS20163103.0276
TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究
Influence factors of high thickness ITO residual in TFT process
王灿 1陈宁 1刘英伟 1赵磊 1薛大鹏 1杜建华 1郭炜 1王路1
作者信息
- 1. 京东方科技集团股份有限公司,北京100176
- 折叠
摘要
关键词
薄膜晶体管/非晶氧化铟锡/残留/成膜/刻蚀Key words
TFT/a-ITO/residual/sputtering/etch分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王灿,陈宁,刘英伟,赵磊,薛大鹏,杜建华,郭炜,王路..TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究[J].液晶与显示,2016,31(3):276-282,7.
