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应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟

秦丽媛孟松鹤李金平田爽

硅酸盐学报2016，Vol.44Issue(4)：550-553,4.

硅酸盐学报2016，Vol.44Issue(4)：550-553,4.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2016.04.13

Effect of Strain Rate on Tensile Behavior of Cubic Silicon Carbide by Molecular-Dynamics Simulation

秦丽媛 ¹孟松鹤 ¹李金平 ¹田爽¹

作者信息

碳化硅/应变率/拉伸行为/分子动力学

silicon carbide/strain rate/tensile behavior/molecular dynamics

数理科学

秦丽媛,孟松鹤,李金平,田爽..应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟[J].硅酸盐学报,2016,44(4):550-553,4.

国家自然科学基金委创新群体项目(11121061,11474136). （11121061,11474136）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：0454-5648

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