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水对常压CVD法制备SnO2∶F透明导电薄膜雾度的影响

陈峰 张振华 赵会峰 赖新宇 姜宏

硅酸盐学报2016，Vol.44Issue(4)：561-565,5.
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硅酸盐学报2016，Vol.44Issue(4)：561-565,5.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2016.04.15

水对常压CVD法制备SnO2∶F透明导电薄膜雾度的影响

Effect of H2O on Haze of SnO2∶F Transparent Conductive Film Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition

陈峰 1张振华 2赵会峰 3赖新宇 2姜宏3

作者信息

  • 1. 海南省特种玻璃重点实验室,海南大学,海口570228
  • 2. 海南省特种玻璃国家重点实验室,海南中航特玻材料有限公司,海南澄迈571924
  • 3. 海南中航特玻科技有限公司,海南澄迈571924
  • 折叠

摘要

关键词

水含量/常压化学气相沉积/雾度/氟掺杂氧化锡薄膜

Key words

water content/atmospheric pressure chemical vapor deposition/haze/fluorine-doped tin oxide film

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

陈峰,张振华,赵会峰,赖新宇,姜宏..水对常压CVD法制备SnO2∶F透明导电薄膜雾度的影响[J].硅酸盐学报,2016,44(4):561-565,5.

基金项目

国家科技支撑计划项目(2013BAJ15B04) （2013BAJ15B04）

海南省重大科技项目(ZDZX2013002-2)资助. （ZDZX2013002-2）

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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