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高能X射线入射时CsI光阴极的光电发射特性

李翔 顾礼 宗方轲 杨勤劳

深圳大学学报(理工版)2016,Vol.33Issue(3):254-258,5.
深圳大学学报(理工版)2016,Vol.33Issue(3):254-258,5.DOI:10.3724/SP.J.1249.2016.03254

高能X射线入射时CsI光阴极的光电发射特性

Photoemission characteristics of a CsI photocathode under high energy X-ray

李翔 1顾礼 1宗方轲 1杨勤劳1

作者信息

  • 1. 深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统教育部/广东省重点实验室,广东深圳518060
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摘要

关键词

半导体技术/CsI光阴极/惯性约束聚变/X射线条纹相机/高能X射线/蒙特卡罗模型

Key words

semiconductor technology/CsI photocathode/inertial confinement fusion/X-ray streak camera/high energy X-ray/Monte Carlo model

分类

数理科学

引用本文复制引用

李翔,顾礼,宗方轲,杨勤劳..高能X射线入射时CsI光阴极的光电发射特性[J].深圳大学学报(理工版),2016,33(3):254-258,5.

基金项目

National Key Scientific Instrument and Equipment Development Projects (2014YQ230659)国家重大科学仪器设备开发专项基金资助项目(2014YQ230659) (2014YQ230659)

深圳大学学报(理工版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-2618

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