液晶与显示2016，Vol.31Issue(5)：460-463,4.DOI:10.3788/YJYXS20163105.0460
不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响
Effect of different dual gate design on A-Si:H TFT electrical characteristics
林致远 1马骏 1林亮 1杨成绍 1邹志翔 1黄寅虎 1文锺源 1王章涛1
作者信息
- 1. 合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230012
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摘要
关键词
高开口率高级超维场转换技术/非晶硅/薄膜电晶体/双栅极Key words
HADS/a-Si/TFT/dual gate分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
林致远,马骏,林亮,杨成绍,邹志翔,黄寅虎,文锺源,王章涛..不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响[J].液晶与显示,2016,31(5):460-463,4.
