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IGBT驱动设计原理及技术比较

唐开毅 尹新 沈征 帅智康 陈功

电源技术2016,Vol.40Issue(3):693-696,4.
电源技术2016,Vol.40Issue(3):693-696,4.

IGBT驱动设计原理及技术比较

Design principles and technical comparisons of IGBT gate driver

唐开毅 1尹新 2沈征 1帅智康 1陈功1

作者信息

  • 1. 湖南大学电气与信息工程学院,湖南长沙410082
  • 2. 国网永州供电公司,湖南永州425000
  • 折叠

摘要

关键词

IGBT/开关换流过程/门极驱动设计/技术比较

Key words

IGBT/switching communication/gate driver design/technical comparison

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

唐开毅,尹新,沈征,帅智康,陈功..IGBT驱动设计原理及技术比较[J].电源技术,2016,40(3):693-696,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51277060) (51277060)

电源技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1002-087X

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