共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究OACSCD
Impact of Common Source Inductance on Switching Loss of SiC MOSFET
共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中，影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅（SiC）MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程，共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣，然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET 的开关损耗，最后搭建了一台输出功率1 kW、输出电压800 V 的全碳化…查看全部>>
Common source inductance(CSI) exists both on the power loop and the gate driver loop of a power elec-tronic circuit, impacting the switching characteristics and losses of devices. The higher the switching speed and frequen-cy is, the severer the impact is. SiC MOSFETs can switch much faster compared to its Si-based counterpart due to its material superiority, so it’s more important to study the impact of common source inductance on switching loss of SiC MOSF…查看全部>>
董泽政;吴新科;盛况;张军明
浙江大学电气工程学院，杭州 310027浙江大学电气工程学院，杭州 310027浙江大学电气工程学院，杭州 310027浙江大学电气工程学院，杭州 310027
信息技术与安全科学
共源极电感开关损耗碳化硅(SiC)MOSFET
common source inductanceswitching lossSiC MOSFETs
《电源学报》 2016 (4)
112-118,7
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