空间科学学报2016，Vol.36Issue(4)：424-427,4.DOI:10.11728/cjss2016.04.424
锑化物磁性半导体体材料研究
Properties of Bulk Antimonide-based Magnetic Semiconductors
摘要
关键词
磁性半导体/锑化物半导体/布里奇曼法/Mn掺杂Key words
Magnetic semiconductors/Antimonide-based semiconductors/Bridgeman method/Mn doping引用本文复制引用
尹志岗,吴金良,张兴旺..锑化物磁性半导体体材料研究[J].空间科学学报,2016,36(4):424-427,4.基金项目
中国载人空间站工程项目(TGJZ800-2-RW024)和中国科学院战略性先导科技专项项目(XDA04020202-11,XDA04020411)共同资助 （TGJZ800-2-RW024）
