非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Ag/Ti source/drain electrodes for amorphous InGaZnO thin flim transistors
为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键.本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件.实验发现,具有单层银源漏电极的器件电学特性较差,这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触.另一方面,通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态.最终制备的以…查看全部>>
吴崎;许玲;董承远
上海交通大学电子工程系TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海200240上海交通大学电子工程系TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海200240上海交通大学电子工程系TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海200240
电子信息工程
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银电极磁控溅射平板显示
a-IGZOTFTsAg electrodesmagnetron sputteringFPDs
《液晶与显示》 2016 (4)
375-379,5
国家自然科学基金面上项目(No.61474075)国家自然科学基金重点项目(No.61136004)Supported by National Natural Science Foundation of China(No.61474075No.61136004)
评论