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薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势

王东平 谢应涛 欧阳世宏 朱大龙 许鑫 谭特 方汉铿

液晶与显示2016,Vol.31Issue(4):380-385,6.
液晶与显示2016,Vol.31Issue(4):380-385,6.DOI:10.3788/YJYXS20163104.0380

薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势

Research status and trends of insulating layer in thin-film transistor

王东平 1谢应涛 1欧阳世宏 1朱大龙 1许鑫 1谭特 1方汉铿1

作者信息

  • 1. 上海交通大学电子工程系TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海200240
  • 折叠

摘要

关键词

薄膜晶体管/溶胶凝胶法/紫外光退火/低温工艺

Key words

thin film transistor/sol-gel process/UV annealing/low temperature process

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王东平,谢应涛,欧阳世宏,朱大龙,许鑫,谭特,方汉铿..薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势[J].液晶与显示,2016,31(4):380-385,6.

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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