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不同浓度氮气对于MPCVD法生长纳米金刚石薄膜的影响

王小安 汪建华 孙祁 黄平

真空电子技术Issue(3):43-45,50,4.
真空电子技术Issue(3):43-45,50,4.

不同浓度氮气对于MPCVD法生长纳米金刚石薄膜的影响

Influence of Different N2 Concentration on Growth of Nano-diamond Films by MPCVD

王小安 1汪建华 1孙祁 2黄平1

作者信息

  • 1. 武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉430074
  • 2. 中国科学院等离子体物理研究所,安徽合肥230031
  • 折叠

摘要

关键词

微波等离子体/化学气相沉积/纳米金刚石/氮气

Key words

Microwave plasma/Chemical vapor deposition/Nano-diamond/Nitrogen

分类

数理科学

引用本文复制引用

王小安,汪建华,孙祁,黄平..不同浓度氮气对于MPCVD法生长纳米金刚石薄膜的影响[J].真空电子技术,2016,(3):43-45,50,4.

基金项目

国家自然科学基金项目(11175137) (11175137)

湖北省教育厅项目(Q20151517) (Q20151517)

真空电子技术

1002-8935

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