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1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展

刘丽杰 吴远大 王玥 安俊明 胡雄伟 王佐

发光学报2016,Vol.37Issue(7):809-815,7.
发光学报2016,Vol.37Issue(7):809-815,7.DOI:10.3788/fgxb20163707.0809

1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展

Research Progress of 1310nm VCSELs Chip Technology

刘丽杰 1吴远大 1王玥 1安俊明 1胡雄伟 1王佐2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083
  • 2. 河南仕佳光子科技有限公司,河南鹤壁458030
  • 折叠

摘要

关键词

垂直腔面发射激光器/1310nm/产业化

Key words

vertical cavity surface-emitting lasers/1310nm/industrialization

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘丽杰,吴远大,王玥,安俊明,胡雄伟,王佐..1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展[J].发光学报,2016,37(7):809-815,7.

基金项目

“863”国家高技术研究发展计划(2015AA016902)资助项目 (2015AA016902)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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