电工技术学报2016，Vol.31Issue(13)：64-73,10.
寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究
The Effect of Parasitic Parameters on Gate-Source Voltage of SiC MOSFET
巴腾飞 1李艳 1梁美1
作者信息
- 1. 北京交通大学电气工程学院 北京 100044
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摘要
关键词
SiC MOSFET/寄生参数/开关模型/栅源极电压Key words
SiC MOSFET/parasitic parameters/switching model/gate-source voltage分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
巴腾飞,李艳,梁美..寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究[J].电工技术学报,2016,31(13):64-73,10.
