电工技术学报2016，Vol.31Issue(12)：126-134,9.
考虑寄生参数的高压GaN高电子迁移率晶体管的逆变器动态过程分析
Dynamic Analysis of Inverter Based on High Voltage GaN High Electron Mobility Transistor
摘要
关键词
宽禁带半导体器件/氮化镓高电子迁移率晶体管/动态过程Key words
Wide band gap semiconductor device/GaN high electron mobility transistor/dynamic process分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张雅静,郑琼林,李艳..考虑寄生参数的高压GaN高电子迁移率晶体管的逆变器动态过程分析[J].电工技术学报,2016,31(12):126-134,9.基金项目
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZY1505). （ZY1505）
