电工技术学报2016，Vol.31Issue(12)：135-141,7.
IGBT极限功耗与热失效机理分析
Analysis of Limiting Power Dissipation and Thermal Failure Mechanism
摘要
关键词
绝缘栅双极型晶体管/极限功耗/热平衡/热失效Key words
Insulated gate bipolar transistor/limiting power dissipation/thermal balance/thermal failure分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
汪波,罗毅飞,张烁,刘宾礼..IGBT极限功耗与热失效机理分析[J].电工技术学报,2016,31(12):135-141,7.基金项目
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2013CB035601)和国家自然科学基金重大项目(51490681)资助. （973计划）
