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素坯密度对气相渗硅制备C/C-SiC复合材料结构与性能的影响

曹宇 刘荣军 曹英斌 龙宪海 严春雷 张长瑞

材料工程2016,Vol.44Issue(7):19-25,7.
材料工程2016,Vol.44Issue(7):19-25,7.DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.07.004

素坯密度对气相渗硅制备C/C-SiC复合材料结构与性能的影响

Effects of Preform Density on Structure and Property of C/C-SiC Composites Fabricated by Gaseous Silicon Infiltration

曹宇 1刘荣军 1曹英斌 1龙宪海 1严春雷 1张长瑞1

作者信息

  • 1. 国防科学技术大学航天科学与工程学院,长沙410073
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摘要

关键词

C/C素坯/气相渗硅/C/C-SiC/CVI C/力学性能

Key words

C/C preform/GSI/C/C-SiC composite/CVI C/mechanical property

引用本文复制引用

曹宇,刘荣军,曹英斌,龙宪海,严春雷,张长瑞..素坯密度对气相渗硅制备C/C-SiC复合材料结构与性能的影响[J].材料工程,2016,44(7):19-25,7.

基金项目

国防科学技术大学科研计划资助项目(JC14-01-04) (JC14-01-04)

材料工程

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4381

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