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分子束外延生长InAsSb材料的组分控制

孙庆灵王禄姚官生曹先存王文奇孙令王文新贾海强陈弘

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(4)：386-388,3.

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(4)：386-388,3.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.04.001

分子束外延生长InAsSb材料的组分控制

Composition control of InAsx Sb1-x grown by molecular beam epitaxy

孙庆灵 ¹王禄 ²姚官生 ¹曹先存 ²王文奇 ³孙令 ³王文新 ¹贾海强 ²陈弘¹

作者信息

1. 中国科学院物理研究所清洁能源重点实验室,北京100190
2. 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京新能源材料与器件重点实验室,北京100190
3. 中国空空导弹研究院,河南洛阳471009
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摘要

关键词

分子束外延(MBE)/铟砷锑/组分控制

Key words

molecular beam epitaxy(MBE)/InAsSb/composition control

分类

数理科学

引用本文复制引用

孙庆灵,王禄,姚官生,曹先存,王文奇,孙令,王文新,贾海强,陈弘..分子束外延生长InAsSb材料的组分控制[J].红外与毫米波学报,2016,35(4):386-388,3.

基金项目

Supported by Aeronautical Science Foundation of China (20132435,20142435001),China Postdoctoral Science Foundation (2014M560936),General armaments department common technology project foundation (9140A12050414ZK33-001) （20132435,20142435001）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1001-9014

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