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一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析

杨佳金湘亮杨红姣汤丽珍刘维辉

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(4)：394-397,4.

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(4)：394-397,4.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.04.003

一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析

Design and analysis of a novel low dark count rate SPAD

杨佳 ¹金湘亮 ²杨红姣 ¹汤丽珍 ²刘维辉¹

作者信息

1. 湘潭大学物理与光电工程学院,湖南湘潭411105
2. 湖南省微光电与系统集成实验室,湖南湘潭411105
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摘要

关键词

单光子雪崩二极管(SPAD)/边缘击穿(PEB)/互补金属氧化物半导体(CMOS)

Key words

single-photon avalanche diode (SPAD)/premature edge breakdown (PEB)/complementary metal oxide semiconductor(CMOS)

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨佳,金湘亮,杨红姣,汤丽珍,刘维辉..一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析[J].红外与毫米波学报,2016,35(4):394-397,4.

基金项目

Supported by National Natural Science Foundation of China (61233010,61274043),and Hunan Provincial Natural Science Fund for Distinguished Young Scholars (2015JJ1014) （61233010,61274043）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1001-9014

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