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GaAs/AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验

余成章靳川白治中陈建新

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(4)：407-411,5.

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(4)：407-411,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.04.005

GaAs/AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验

Simulation and experience of realspace transfer effect in GaAs/AlGaAs double quantum well

余成章 ¹靳川 ²白治中 ¹陈建新¹

作者信息

1. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
2. 上海科技大学物质科学与技术学院,上海201210
折叠

摘要

关键词

GaAs/AlGaAs/微分负阻效应/实空间转移

Key words

GaAs/AlGaAs/negative differential resistance effect/real space transfer

分类

数理科学

引用本文复制引用

余成章,靳川,白治中,陈建新..GaAs/AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验[J].红外与毫米波学报,2016,35(4):407-411,5.

基金项目

国家自然科学基金(61176082,61290302,61534006)Supported by National Natural Science Foundation of China(61176082,61290302,61534006) （61176082,61290302,61534006）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1001-9014

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