红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(4)：412-417,6.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.04.006
长波碲镉汞变面积二极管器件
Variable-area diodes with LW HgCdTe
摘要
关键词
长波碲镉汞/变面积二极管/表面钝化/R0A/P/AKey words
LW HgCdTe/variable-area diode/surface passivation/R0A/P/A分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李雄军,韩福忠,李东升,李立华,胡彦博,孔金丞,赵俊,朱颖峰,庄继胜..长波碲镉汞变面积二极管器件[J].红外与毫米波学报,2016,35(4):412-417,6.基金项目
国防973项目(613230),云南省创新团队计划(2014HC020)Supported by National Defense 973 Project(613230) （613230）
Yunnan Province Innovation Team Plan(2014HC020) （2014HC020）
