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解析二氧化硅的干法刻蚀工艺

杜先兵

大科技Issue(27)：244-244,1.
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大科技Issue(27)：244-244,1.

解析二氧化硅的干法刻蚀工艺

杜先兵1

作者信息

  • 1. 中国振华集团永光电子有限公司 贵州贵阳 550000
  • 折叠

摘要

关键词

反应离子刻蚀/二氧化硅/最佳工艺条件

分类

信息技术与安全科学

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杜先兵..解析二氧化硅的干法刻蚀工艺[J].大科技,2016,(27):244-244,1.

大科技

1004-7344

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