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PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究

任洋 郝瑞亭 刘思佳 王国伟 徐应强 牛智川

云南师范大学学报（自然科学版）2016，Vol.36Issue(5)：44-49,6.
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云南师范大学学报（自然科学版）2016，Vol.36Issue(5)：44-49,6.DOI:10.7699/j.ynnu.ns-2016-066

PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究

Optical and Electrical Properties of PIN,NBN and NBP Mid-wave InAsSb Infrared Photodetectors

任洋 1郝瑞亭 1刘思佳 1王国伟 2徐应强 3牛智川2

作者信息

  • 1. 云南师范大学太阳能研究所,教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,云南省农村能源重点工程实验室,云南昆明650500
  • 2. 中国科学院半导体超晶格国家重点实验室,北京100084
  • 3. 中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心,安徽合肥230026
  • 折叠

摘要

关键词

分子束外延/InAsSb/中波/红外探测器

Key words

Molecular beam epitaxy/InAsSb/Mid-wave/Infrared detector

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

任洋,郝瑞亭,刘思佳,王国伟,徐应强,牛智川..PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究[J].云南师范大学学报（自然科学版）,2016,36(5):44-49,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11474248,61176127,61006085,61274013) （11474248,61176127,61006085,61274013）

国际科技合作基金重点资助项目(2011DFA62380). （2011DFA62380）

云南师范大学学报（自然科学版）

OACSTPCD

1007-9793

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