人工晶体学报2016，Vol.45Issue(9)：2322-2325,4.
射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响
Effect of Radio-frequency Power on Bond Structures and Properties of Silicon-rich Silicon Nitride Thin Films
摘要
关键词
富硅-氮化硅薄膜/等离子增强化学气相沉积/射频功率/沉积速率Key words
silicon-rich silicon nitride thin film/plasma enhanced chemical vapor deposition/radiofrequency power/deposition rate分类
数理科学引用本文复制引用
乌仁图雅,周炳卿,高爱明,部芯芯,丁德松..射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响[J].人工晶体学报,2016,45(9):2322-2325,4.基金项目
国家自然科学基金(51262022) （51262022）
