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4H-SiC栅氧氮化工艺优化

陈喜明 李诚瞻 赵艳黎 邓小川 张波

大功率变流技术Issue(5)：41-45,5.
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大功率变流技术Issue(5)：41-45,5.DOI:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.008

4H-SiC栅氧氮化工艺优化

Nitridation Process Optimization of 4H-SiC Gate Oxidation

陈喜明 1李诚瞻 2赵艳黎 3邓小川 1张波3

作者信息

  • 1. 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412001
  • 2. 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054
  • 3. 株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲412001
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC/MOS电容/氮化工艺/击穿电压/界面态密度

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

陈喜明,李诚瞻,赵艳黎,邓小川,张波..4H-SiC栅氧氮化工艺优化[J].大功率变流技术,2016,(5):41-45,5.

基金项目

国家科技重大专项02专项(2013ZX02305002) （2013ZX02305002）

大功率变流技术

2096-5427

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