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1200V SiC MOSFET晶体管的高温可靠性研究

邓小川 陈茜茜 王弋宇 申华军 唐亚超 高云斌

大功率变流技术Issue(5):62-64,70,4.
大功率变流技术Issue(5):62-64,70,4.DOI:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.013

1200V SiC MOSFET晶体管的高温可靠性研究

High-temperature Reliability of 1 200 V SiC Power MOSFETs

邓小川 1陈茜茜 1王弋宇 2申华军 3唐亚超 1高云斌3

作者信息

  • 1. 电子科技大学,四川成都610054
  • 2. 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412001
  • 3. 中国科学院微电子研究所,北京100029
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/高温栅偏/高温反偏/可靠性

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

邓小川,陈茜茜,王弋宇,申华军,唐亚超,高云斌..1200V SiC MOSFET晶体管的高温可靠性研究[J].大功率变流技术,2016,(5):62-64,70,4.

基金项目

国家科技重大专项子课题(编号2013ZX02305-002) (编号2013ZX02305-002)

广东省自然科学基金(编号2015A030313875) (编号2015A030313875)

大功率变流技术

2096-5427

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