红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(5)：534-537,568,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.05.005
基于MOCVD再生长n+ GaN欧姆接触工艺fT/fmax＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究
fT /fmax ＞ 150/210 GHz AlGaN/GaN HFETs with regrown n+-GaN Ohmic contacts by MOCVD
摘要
关键词
AlGaN/GaN/异质结场效应晶体管/电流增益截止频率/最大振荡频率/再生长欧姆接触Key words
AlGaN/GaN/HFET/fT/fmax/regrown Ohmic contacts分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吕元杰,冯志红,宋旭波,张志荣,谭鑫,郭红雨,房玉龙,周幸叶,蔡树军..基于MOCVD再生长n+ GaN欧姆接触工艺fT/fmax＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究[J].红外与毫米波学报,2016,35(5):534-537,568,5.基金项目
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