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高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究

张景贤 段于森 江东亮 陈忠明 刘学建 黄政仁 杨建 李晓云 丘泰

真空电子技术Issue(5):7-10,4.
真空电子技术Issue(5):7-10,4.

高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究

Preparation of High Thermal Conductivity Si3N4 Ceramic Substrates

张景贤 1段于森 1江东亮 1陈忠明 1刘学建 1黄政仁 1杨建 2李晓云 2丘泰2

作者信息

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050
  • 2. 南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京210009
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摘要

关键词

氮化硅基片/流延成型/硅粉氮化/气压烧结

Key words

Silicon nitride substrate/Tape casting/Nitridation/Gas-pressure-sintering

分类

化学化工

引用本文复制引用

张景贤,段于森,江东亮,陈忠明,刘学建,黄政仁,杨建,李晓云,丘泰..高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究[J].真空电子技术,2016,(5):7-10,4.

基金项目

国家自然科学基金(51572277) (51572277)

高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室的资助 ()

真空电子技术

1002-8935

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