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功率MOSFET寿命模型综述

查晓明 刘悦遐 黄萌 刘懿

电源学报2016,Vol.14Issue(6):108-121,14.
电源学报2016,Vol.14Issue(6):108-121,14.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2016.6.108

功率MOSFET寿命模型综述

Review of MOSFET Lifetime Model

查晓明 1刘悦遐 1黄萌 1刘懿1

作者信息

  • 1. 武汉大学电气工程学院,武汉 430072
  • 折叠

摘要

关键词

MOSFET/寿命模型/封装失效/参数漂移失效

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

查晓明,刘悦遐,黄萌,刘懿..功率MOSFET寿命模型综述[J].电源学报,2016,14(6):108-121,14.

基金项目

国家自然科学基金重点资助项目(51637007) (51637007)

国家自然科学基金资助青年项目(51507118) (51507118)

电源学报

OACSCD

2095-2805

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