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不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析

符佳佳 曹海城 赵丽霞 王军喜 李晋闽

发光学报2016,Vol.37Issue(10):1230-1236,7.
发光学报2016,Vol.37Issue(10):1230-1236,7.DOI:10.3788/fgxb20163710.1230

不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析

Degradation Analysis of Mid-power GaN-based LEDs with Different Package Materials

符佳佳 1曹海城 1赵丽霞 1王军喜 1李晋闽1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

中功率LED/封装材料/老化行为

Key words

mid-power LEDs/package materials/degradation behaviors

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

符佳佳,曹海城,赵丽霞,王军喜,李晋闽..不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析[J].发光学报,2016,37(10):1230-1236,7.

基金项目

国家自然科学基金(11574306) (11574306)

中国国际科技合作计划(2014DFG62280) (2014DFG62280)

“863”国家高技术研究发展计划(2015AA03A101)资助项目 (2015AA03A101)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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