硅酸盐通报2016，Vol.35Issue(11)：3607-3612,6.
加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响
Influence of Heater/Crucible Position on the Thermal Field and Crystal Quality in the Preparation of Single Crystal Silicon with φ200 mm
摘要
关键词
单晶硅/温度梯度/固液界面/氧含量Key words
single crystal silicon/temperature gradient/solid-liquid interface/oxygen concentration分类
化学化工引用本文复制引用
高忙忙,朱博,李进,景华玉,董法运,梁森,李海波..加热器/坩埚相对位置对φ200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响[J].硅酸盐通报,2016,35(11):3607-3612,6.基金项目
国家自然科学基金(61366005) （61366005）
2015宁夏自治区科技攻关项目 （）
