量子电子学报2016，Vol.33Issue(6)：770-774,5.DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018
4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究
Capacitance-voltage characteristics of 4H-SiC p-i-n ultraviolet photodetectors
摘要
关键词
光电子学/4H-SiC/p-i-n紫外光电探测器/电容-电压/深能级缺陷Key words
optoelectronics/4H-SiC/p-i-n ultraviolet photodetector/capacitance-voltage/deep-level defect分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
蔡加法,陈厦平,吴少雄,吴正云..4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究[J].量子电子学报,2016,33(6):770-774,5.基金项目
Supported by National Natural Science Foundation of China(国家自然科学基金,61176049) （国家自然科学基金,61176049）
