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SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试

蔡志猛 陈荔群 李成

福州大学学报(自然科学版)2016,Vol.44Issue(5):656-660,5.
福州大学学报(自然科学版)2016,Vol.44Issue(5):656-660,5.DOI:10.7631/issn.1000-2243.2016.05.0656

SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试

Characteristics of SOI-based RCE-Ge photodetectors

蔡志猛 1陈荔群 2李成3

作者信息

  • 1. 厦门华厦学院信息与机电工程系,福建厦门361000
  • 2. 集美大学诚毅学院,福建厦门361021
  • 3. 厦门大学物理系光子学研究中心,福建厦门361005
  • 折叠

摘要

关键词

/共振腔增强型/SOI/光电探测器

Key words

germanium/resonant cavity-enhanced/silicon-on-insulator/photodetector

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蔡志猛,陈荔群,李成..SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试[J].福州大学学报(自然科学版),2016,44(5):656-660,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(61474094) (61474094)

福建省中青年教师教育科研基金资助项目(JA15654) (JA15654)

福州大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSTPCD

1000-2243

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