红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(6)：641-645,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.06.001
基于60 nm T型栅fT & fmax为170 & 210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件
60 nm T-shaped-gate InAlN/GaN HFETs with fT & fmax of 170 & 210 GHz
摘要
关键词
InAlN/GaN/异质结场效应晶体管(HFETs)/电流增益截止频率(fT)/最大振荡频率(fmax)Key words
InAlN/GaN/heterostructure field-effect transistors (HFET)/unity current gain cut-off frequency (fT)/maximum oscillation frequency(fmax)分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吕元杰,冯志红,张志荣,宋旭波,谭鑫,郭红雨,尹甲运,房玉龙,蔡树军..基于60 nm T型栅fT & fmax为170 & 210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件[J].红外与毫米波学报,2016,35(6):641-645,5.基金项目
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