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含有超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17 As探测器暗电流仿真和验证

李庆法李雪唐恒敬邓双燕曹高奇邵秀梅龚海梅

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(6)：662-666,5.

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(6)：662-666,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.06.005

含有超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17 As探测器暗电流仿真和验证

Dark current simulation and verification of In0.83Ga0.17 As detector with superlattice electron barrier

李庆法 ¹李雪 ²唐恒敬 ³邓双燕 ⁴曹高奇 ¹邵秀梅 ²龚海梅¹

作者信息

1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083
2. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室,上海200083
3. 中国科学院大学,北京100049
4. 上海科技大学物质科学与技术学院,上海201210
折叠

摘要

关键词

In0.83Ga0.17 As探测器/超晶格电子势垒/暗电流/TCAD仿真

Key words

In0.83Ga0.17 As detector/super lattice(SL) electronic barrier/dark current/TCAD simulation

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李庆法,李雪,唐恒敬,邓双燕,曹高奇,邵秀梅,龚海梅..含有超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17 As探测器暗电流仿真和验证[J].红外与毫米波学报,2016,35(6):662-666,5.

基金项目

Supported by the National Key Basic Research and Development Program of China (2012CB619200),National Natural Science Foundation of China (61205105,61376052,61475179) （2012CB619200）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1001-9014

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