现代科学仪器Issue(6)：68-72,5.
基于杂散电感分析的MOSFET模块布局结构设计的研究
Study of MOSFET Module Layout Structure Design Based on Analysis of Stray Inductance
代茜 1徐菊 2郑利兵 1靳鹏云1
作者信息
- 1. 中国科学院电工研究所 北京100190
- 2. 中国科学院大学 北京100049
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摘要
关键词
MOSFET功率模块/芯片布局/双脉冲测试/开关损耗/杂散参数/有限元Key words
MOSFET power module/Chip layout/Double-pulse test/Switching loss/Stray parameters/Finite element分类
化学化工引用本文复制引用
代茜,徐菊,郑利兵,靳鹏云..基于杂散电感分析的MOSFET模块布局结构设计的研究[J].现代科学仪器,2016,(6):68-72,5.
