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N掺杂位置对四方相PbTiO3电子结构和光学性能的影响

李宏光 闫金良

材料科学与工程学报2017,Vol.35Issue(1):14-18,5.
材料科学与工程学报2017,Vol.35Issue(1):14-18,5.DOI:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.01.004

N掺杂位置对四方相PbTiO3电子结构和光学性能的影响

Electronic Structures and Optical Properties of N-doped Tetragonal PbTiO3 with Different Doping Sites

李宏光 1闫金良2

作者信息

  • 1. 鲁东大学信息与电气工程学院,山东烟台264025
  • 2. 鲁东大学物理与光电工程学院,山东烟台264025
  • 折叠

摘要

关键词

钛酸铅/N掺杂/电子结构/第一性原理

Key words

PbTiO3/N-doping/electronic structure/first-principles

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李宏光,闫金良..N掺杂位置对四方相PbTiO3电子结构和光学性能的影响[J].材料科学与工程学报,2017,35(1):14-18,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11504155)和山东省自然科学基金资助项目(ZR2016FM38) (11504155)

材料科学与工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-2812

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