无机材料学报2017，Vol.32Issue(1)：69-74,6.DOI:10.15541/jim20160170
离子源偏压对PIA-EB-Hf法制备的HfO2激光薄膜性能的影响
APS Bias Voltage on Properties of HfO2 Laser Films Deposited by Reactive Plasma Ion Assisted Electron Evaporation
摘要
关键词
HfO2薄膜/等离子体辅助电子束蒸发/离子源偏压/微观结构/激光损伤Key words
HfO2 film/plasma-assisted electron beam evaporation/bias voltage/microstructure/laser damage分类
数理科学引用本文复制引用
付朝丽,杨勇,马云峰,魏玉全,焦正,黄政仁..离子源偏压对PIA-EB-Hf法制备的HfO2激光薄膜性能的影响[J].无机材料学报,2017,32(1):69-74,6.基金项目
国家自然科学基金(51471182)National Natural Science Foundation of China (51471182) （51471182）
