电工技术学报2017，Vol.32Issue(1)：148-158,11.
用于精确预测SiC MOSFET开关特性的分析模型
Analytical Model of SiC MOSFET for Accurately Predicting the Switching Performance
梁美 1郑琼林 1李艳 1巴腾飞1
作者信息
- 1. 北京交通大学电气工程学院 北京 100044
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摘要
关键词
分析模型/碳化硅MOSFET/寄生参数/开关特性/开关损耗Key words
Analytical model/SiC MOSFET/parasitic elements/switching performance/switching loss分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
梁美,郑琼林,李艳,巴腾飞..用于精确预测SiC MOSFET开关特性的分析模型[J].电工技术学报,2017,32(1):148-158,11.
