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温度循环下IGBT瞬态热阻抗退化模型的研究

姚芳王少杰李志刚陈盛华

电气传动2017，Vol.47Issue(2)：77-80,4.

电气传动2017，Vol.47Issue(2)：77-80,4.DOI:10.19457/j.1001-2095.20170217

Research on Transient Thermal Impedance Degradation Model Under Temperature Cycling of IGBT Power Module

姚芳 ¹王少杰 ¹李志刚 ¹陈盛华¹

作者信息

退化模型/瞬态热阻抗/温度循环/绝缘栅双极型晶体管

degradation model/transient thermal impedance/temperature cycle/insulated gate bipolar transistor

信息技术与安全科学

姚芳,王少杰,李志刚,陈盛华..温度循环下IGBT瞬态热阻抗退化模型的研究[J].电气传动,2017,47(2):77-80,4.

国家自然科学基金资助项目(51377044) （51377044）

2012年度高校博士点专项科研基金(20121317110008) （20121317110008）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1001-2095

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