化学亚胺化程度对正性光敏聚酰亚胺影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of the Degree of Chemical Imidization on the Positive Photosensitive Polyimide
选用2,2'-双三氟甲基4,4'-联苯二胺(TFDB)与二苯醚四甲酸二酐(ODPA)作为聚合物的基本骨架进行缩聚反应生成聚酰胺酸,再经过化学亚胺化得到可溶性聚酰亚胺(PI).通过调节2-甲基吡啶在亚胺化试剂中的含量以达到控制酰亚胺化程度的目的,探讨不同亚胺化程度的PI胶的显影性能.结果表明,当n(2-甲基吡啶)∶n(乙酸酐)=1∶5时,所合成的光敏聚酰亚胺的显影性能最优.
Condensation polymerization of 2,2'-bis (trifluoromethyl)-4,4'-diamino biphenyl (TFDB) and 3,3',4,4'-tetracarboxydiphthalic ether dianhydride (ODPA) gives a soluble polyimide.The effect of the degree of chemical imidization on positive photosensitive polyimide performance was investigated by adjusting the content of α-picoline in the imidization reagent to control the extent of the imide.The results show that the photosensitive polyimide has the best d…查看全部>>
朱丹阳;金锐;吴作林;韩宝春;杨正华;张春华
中国科学院长春应用化学研究所,高分子复合材料工程实验室 长春130022全球能源互联网研究院 北京102211中国科学院长春应用化学研究所,高分子复合材料工程实验室 长春130022中国科学院长春应用化学研究所,高分子复合材料工程实验室 长春130022中国科学院长春应用化学研究所,高分子复合材料工程实验室 长春130022中国科学院长春应用化学研究所,高分子复合材料工程实验室 长春130022
化学化工
正性光敏聚酰亚胺化学亚胺化溶解性光刻
positive photosensitive polyimidechemical imidizationsolubilityphotolithography
《应用化学》 2017 (3)
276-281,6
国家电网公司科技项目:高压IGBT芯片表面钝化工艺研究(5455DW150005)Supported by the Project of the State Grid Corporation:Technology of High Voltage IGBTchip Surface Passivation(No.5455DW150005)
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