MBE技术蓝宝石衬底上生长VO2薄膜及其太赫兹和金属-绝缘体相变特性研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Terahertz and Metal-insulator Transition Properties of VO2 Film Grown on Sapphire Substrate with MBE
采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15～60 nm精确控制.对于优化条件下VO2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属-绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO2相变特性.特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO2薄膜在太赫兹波段的光学特性.结果表明:VO2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响.因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO2薄膜的厚…查看全部>>
High quality stoichiometric VO2 films were grown on single crystal sapphire substrates by molecular beam epitaxy (MBE),the film thicknesses were precisely controlled on the nanoscale ranging from 15 nm to 60 nm.For the optimized sample,a distinct reversible metal-insulator transition (MIT) with abrupt resistance change more than four orders of magnitude was observed,which was comparable to the ever reported result for high quality single crystal VO2.Especial…查看全部>>
孙洪君;王敏焕;边继明;苗丽华;章俞之;骆英民
大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024中国科学院 上海硫酸盐研究所 中国科学院特种无机涂层重点实验室,上海 200050大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024中国科学院 上海硫酸盐研究所 中国科学院特种无机涂层重点实验室,上海 200050
通用工业技术
二氧化钒薄膜太赫兹时域光谱分子束外延金属-绝缘体相变
vanadium dioxide filmterahertz time-domain spectroscopy (THz-TDs)molecular beam epitaxy (MBE)metal-insulator transition
《无机材料学报》 2017 (4)
437-442,6
Fundamental Research Funds for the Central Universities (DUT16LAB11)Opening Project of Key Laboratory of Inorganic Coating Materials,Chinese Academy of Sciences (KLICM-2014-01)
评论