质子在氮化镓中产生位移损伤的Geant4模拟OA北大核心CSCDCSTPCD
Geant4 Simulation of Proton Displacement Damage in GaN
材料受到辐照时产生的位移损伤会导致其微观结构发生变化,从而使其某些使用性能退化,影响其使用效率,减短其使用寿命.利用Geant4模拟了质子在氮化镓中的输运过程,计算了1、10、100、500 MeV能量质子入射氮化镓材料产生的初级撞出原子的种类、能量信息及离位原子数.获得了10 MeV质子产生的位移缺陷分布;计算了4种能量质子入射氮化镓材料产生的非电离能量损失(NIEL);研究了质子产生位移损伤过程的影响要素.研究发现,入射质子能量对其在材料中产…查看全部>>
The efficiency of employment will be influenced and the life span of use will be reduced when the material is irradiated and the displacement damage which will change its microstructure and degenerate its character of service is produced within the material .The transport of proton in GaN was simulated with Geant 4 .The information of the type and the energy of the primary knock-on atoms (PKA ) created in GaN and the number of displacement damage were calcul…查看全部>>
何博文;贺朝会;申帅帅;陈袁妙梁
西安交通大学核科学与技术学院,陕西西安 710049西安交通大学核科学与技术学院,陕西西安 710049西安交通大学核科学与技术学院,陕西西安 710049西安交通大学核科学与技术学院,陕西西安 710049
能源科技
质子氮化镓位移损伤Geant4
protonGaNdisplacement damageGeant4
《原子能科学技术》 2017 (3)
543-548,6
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