现代应用物理2017，Vol.8Issue(2)：62-66,5.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2017.020801
金属-铁电层(BNT)-绝缘层(YSZ)-半导体(Si)二极管的存储特性及可靠性研究
Memory Properties and Reliability of Metal-Ferroelectric (Bi3.15 Nd0.85 Ti3O12)-Insulator (YSZ)-Silicon Diode
摘要
关键词
铁电存储器/MFIS/存储窗口/疲劳/保持/BNT分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
粟诗雨,宋宏甲,钟向丽,张溢,王金斌..金属-铁电层(BNT)-绝缘层(YSZ)-半导体(Si)二极管的存储特性及可靠性研究[J].现代应用物理,2017,8(2):62-66,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(51572233 （）
61574121) （）
