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硅外延双层结构的厚度测量

颜晓飞 康薇 底亚雷

中国科技投资Issue(23)：304,1.
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中国科技投资Issue(23)：304,1.

硅外延双层结构的厚度测量

颜晓飞 1康薇 1底亚雷1

作者信息

  • 1. 河北普兴电子科技股份有限公司
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摘要

关键词

FTIR/硅外延片/中间层/电阻率/厚度

引用本文复制引用

颜晓飞,康薇,底亚雷..硅外延双层结构的厚度测量[J].中国科技投资,2017,(23):304,1.

中国科技投资

1673-5811

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