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大功率IGBT器件并联均流研究

余伟 罗海辉 邓江辉 周望君 江普生 吴煜东

大功率变流技术Issue(5)：46-50,5.
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大功率变流技术Issue(5)：46-50,5.DOI:10.13889/j.issn.2095-3631.2017.05.007

大功率IGBT器件并联均流研究

Research on Internal Current Sharing of High-power IGBTs

余伟 1罗海辉 2邓江辉 3周望君 3江普生 3吴煜东3

作者信息

  • 1. 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412001
  • 2. 株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲412001
  • 折叠

摘要

关键词

IGBT并联/并联均流/IGBT芯片参数/寄生参数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

余伟,罗海辉,邓江辉,周望君,江普生,吴煜东..大功率IGBT器件并联均流研究[J].大功率变流技术,2017,(5):46-50,5.

基金项目

国家科技重大专项02专项(2015ZX02301) （2015ZX02301）

大功率变流技术

2096-5427

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