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Si-PIN半导体探测器灵敏区厚度的模拟计算

谢红刚 刘金良 朱金辉

现代应用物理2017,Vol.8Issue(3):1-5,5.
现代应用物理2017,Vol.8Issue(3):1-5,5.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2017.030201

Si-PIN半导体探测器灵敏区厚度的模拟计算

Simulated Calculation of Depth of Sensitive Volume in Si-PIN Semiconductor Detector

谢红刚 1刘金良 1朱金辉1

作者信息

  • 1. 西北核技术研究所,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

反冲质子/Si-PIN半导体探测器/Geant4工具包/灵敏区/能量沉积

分类

数理科学

引用本文复制引用

谢红刚,刘金良,朱金辉..Si-PIN半导体探测器灵敏区厚度的模拟计算[J].现代应用物理,2017,8(3):1-5,5.

基金项目

国家自然科学基金青年基金资助项目(11505136) (11505136)

现代应用物理

2095-6223

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