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不同构型下ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究

刘乔亚 杨平

电子科技2018,Vol.31Issue(2):44-47,4.
电子科技2018,Vol.31Issue(2):44-47,4.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.02.012

不同构型下ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究

First-Principles Study on ZnO-based Diluted Magnetic Semiconductors in Different Doping Configurations

刘乔亚 1杨平1

作者信息

  • 1. 江苏大学机械工程学院,江苏镇江212000
  • 折叠

摘要

关键词

掺杂构型/第一性原理/电子结构/自旋/磁矩/居里温度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘乔亚,杨平..不同构型下ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究[J].电子科技,2018,31(2):44-47,4.

基金项目

国家自然科学基金(61076098) (61076098)

电子科技

1007-7820

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