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硅各向异性腐蚀的仿真模型研究

严一峰 方玉明

电子科技2018,Vol.31Issue(2):56-60,5.
电子科技2018,Vol.31Issue(2):56-60,5.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.02.015

硅各向异性腐蚀的仿真模型研究

Study on Simulation Model of Anisotropic Etching of Silicon

严一峰 1方玉明1

作者信息

  • 1. 南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023
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摘要

关键词

/各向异性腐蚀/仿真方法/模拟精度和模拟效率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

严一峰,方玉明..硅各向异性腐蚀的仿真模型研究[J].电子科技,2018,31(2):56-60,5.

基金项目

江苏省自然科学基金(BK20131380) (BK20131380)

南京邮电大学大学生创新训练计划项目(XYB2017057) (XYB2017057)

电子科技

1007-7820

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