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非均相沉淀法制备PLZT富锆陶瓷及其电击穿性能研究

杨洪 杜力 朱朝宽 张云红 王晶晶

重庆工商大学学报(自然科学版)2018,Vol.35Issue(2):78-86,9.
重庆工商大学学报(自然科学版)2018,Vol.35Issue(2):78-86,9.DOI:10.16055/j.issn.1672058X.2018.0002.0015

非均相沉淀法制备PLZT富锆陶瓷及其电击穿性能研究

Fabrication of Zr Rich PLZT Ferroelectric Ceramics by Heterogeneous Precipitation Method and Their Dielectric Breakdown Properties Research

杨洪 1杜力 1朱朝宽 1张云红 1王晶晶2

作者信息

  • 1. 重庆工商大学 制造装备机构设计与控制重点实验室,重庆400067
  • 2. 重庆长安汽车股份有限公司,重庆400023
  • 折叠

摘要

关键词

PZT95/5型铁电陶瓷/非均相沉淀法/抗电击穿强度/韦布尔分布

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨洪,杜力,朱朝宽,张云红,王晶晶..非均相沉淀法制备PLZT富锆陶瓷及其电击穿性能研究[J].重庆工商大学学报(自然科学版),2018,35(2):78-86,9.

基金项目

重庆市科委基础与前沿研究一般项目 (CSTC2013JCYJA50023) (CSTC2013JCYJA50023)

重庆市教委科技基金(KJ110703) (KJ110703)

重庆工商大学学报(自然科学版)

1672-058X

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