现代应用物理2017，Vol.8Issue(4)：22-27,6.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040601
CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究
Radiation Effect and Damage Mechanism of Saturated Output Voltage of CMOS Image Sensor
李豫东 1文林 2郭旗 3何承发 4周东 4冯婕 4张兴尧 4于新4
作者信息
- 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
- 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
- 3. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011
- 折叠
摘要
关键词
CMOS图像传感器/高能粒子/饱和输出电压/电离总剂量效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李豫东,文林,郭旗,何承发,周东,冯婕,张兴尧,于新..CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究[J].现代应用物理,2017,8(4):22-27,6.
